2025/04/14 Sap Hana 升級

 Sap Hana 升級： 2030年終止現有，強制ECC版本

(Oracle 11G),改用 Hana

--》dlink 無法再使用

--〉只要不是直接存取，就必須付費。

--》除license費用外，單筆讀取資料另外計費。

--〉RPA AI 處理:EX: 

        由 SAP  RPA處理，整理excel資料，發 EMail. 

        寫入sap資料庫

PS: sap 標準table ： 內部外部都會用的 table,

      無法用文字方式，將 sap  table 轉成文字檔，

      給外系統使用。


Ps: ztable 開放原則： ztable 是否確認必要性，

      若確認才開放。

Ps: 使用到 SAP系統.table

      那些是即時 table, 那些不需即時 table

     1》不需即時 table： 

        由 sap table 倒出來成文字檔，讓其他系統讀取。

      2〉即時table ：

           如何讀取現有的即時table.


         

      


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晶背供電 - 由背面供電源線路

 「晶背供電」（Backside Power Delivery, BSPDN 或 BSP）是半導體製程中一項革命性的技術，它改變了傳統晶片供電的方式。 什麼是晶背供電？ 傳統上，晶片中的電源線路和訊號線路都佈局在晶片的正面（即電晶體所在的同一側）。這 就像城市裡所有的電線和水管都走在同一條街道上，隨著城市（晶片）越來越大、建築（電晶體）越來越密集，就容易發生「交通堵塞」 ：  * 空間擁擠：電源線路通常需要較粗的線寬以降低電阻，這會佔用晶片正面寶貴的佈線空間，使得訊號線路的佈局受到限制。  * 電力損耗與干擾：電力需要穿過多層金屬線路才能到達電晶體，這導致電阻增加，產生「IR壓降」（電壓下降），進而造成電力損耗和發熱。同時，電源線路和訊號線路之間的距離近，也容易產生電磁干擾。 晶背供電的出現，就是要解決這些問題。它的核心概念是：將晶片的電源供應網路從晶片的正面移到背面。 你可以想像成把城市裡的地下管線移到地下去，讓地面（晶片正面）有更多空間來規劃道路（訊號線路）。 晶背供電的關鍵技術 要實現晶背供電，需要一些關鍵技術：  * 晶圓薄化 (Wafer Thinning)：為了讓電力能從背面到達正面的電晶體，需要將晶圓研磨到非常薄。  * 奈米矽穿孔 (Nano Through-Silicon Via, nTSV)：這些是極其微小的垂直導電通道，穿透薄化的矽基板，將背面的電力精確地連接到正面的電晶體。  * 埋入式電源軌 (Buried Power Rail, BPR)：有些方案會進一步將部分的電源線路埋入電晶體下方的矽基板中，進一步縮短供電路徑。 晶背供電的優點 晶背供電帶來了許多顯著的優勢：  * 大幅降低IR壓降，提升供電效率：    * 電力從背面直接通過nTSV等垂直通道供給電晶體，供電路徑大大縮短。    * 背面的供電線路可以做得更粗、更短，電阻顯著降低。    * 這使得電壓降（IR Drop）得以有效控制，減少電力損耗，提供更穩定的電壓，讓晶片在更高頻率下穩定運作，提升整體效能。  * 提升晶片密度與設計自由度：    * 當電源線路移到背面後，晶片正面騰出了大量空間，可以專門用於佈設訊號線路。 ...
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